合肥长鑫19nm DRAM内存芯片产能增加

2020-02-15 作者:行业知识   |   浏览(89)

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍,投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

原标题:第一代10nm出炉,国产DDR4内存量产! 9月20日,2019世界制造业大会拉开序幕,在大会上,专注内存研发生产的合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产,将生产国产第一代10nm级8Gb...

存储器产品占到了我国每年进口半导体芯片中的大头,其中DRAM内存芯片占比最高,有20%以上。

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在9月份开幕的201 9世界制造业大会上,合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产,将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。

在昨天的中国闪存技术峰会上,合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲,指出合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别。

最新报道称,合肥长鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的产能,目标是月产4万片晶圆。

根据合肥长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍,该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标,2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建,是安徽省单体投资最大的工业项目。

据悉,长鑫的DRAM技术主要来自已经破产的奇梦达,包括将后者一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中。

对于此前外界最为关心的良率问题,合肥长鑫没有公布具体的数据,但是宣称其10nm级内存已经获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告

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